NTE2372 NTE Electronics, Inc
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2372 NTE Electronics, Inc
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -200V, Drain current: -2A, Pulsed drain current: -14A, Power dissipation: 40W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.5Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2372
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE2372 | Виробник : NTE Electronics |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
NTE2372 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |