Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE2396
NTE2396

NTE2396 NTE Electronics, Inc

nte2396.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.53 грн
10+393.90 грн
20+373.21 грн
50+330.82 грн
100+322.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2396 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTE2396 за ціною від 385.31 грн до 605.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2396 Виробник : NTE Electronics nte2396.pdf NTE2396 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.10 грн
3+407.38 грн
8+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.