NTE2912

NTE2912 NTE Electronics


nte2912.pdf Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.69 грн
3+294.13 грн
5+247.37 грн
12+233.58 грн
25+225.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2912 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 58A, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції NTE2912 за ціною від 412.64 грн до 412.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2912 NTE2912 Виробник : NTE Electronics nte2912.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.