
NTE2912 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 339.69 грн |
3+ | 294.13 грн |
5+ | 247.37 грн |
12+ | 233.58 грн |
25+ | 225.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2912 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 58A, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2912 за ціною від 412.64 грн до 412.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2912 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|