NTE2916 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 698 грн |
| 2+ | 447.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2916 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 300W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2916 за ціною від 507.39 грн до 837.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2916 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|