NTE2919

NTE2919 NTE Electronics


nte2919.pdf Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.16 грн
3+338.72 грн
8+320.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2919 NTE Electronics

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -20A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 25W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 92mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції NTE2919 за ціною від 368.76 грн до 554.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2919 NTE2919 Виробник : NTE Electronics nte2919.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.59 грн
3+422.10 грн
8+384.39 грн
25+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.