NTE2919 NTE Electronics
Виробник: NTE ElectronicsCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -80A
Version: ESD
Power dissipation: 25W
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437.95 грн |
| 3+ | 366.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2919 NTE Electronics
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -20A, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 92mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: -80A, Version: ESD, Power dissipation: 25W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2919 за ціною від 390.40 грн до 525.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2919 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -80A Version: ESD Power dissipation: 25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|