NTE4903 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC
Packaging: Bag
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 139A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.12V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.8V
Description: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC
Packaging: Bag
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 139A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.12V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.8V
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 261.43 грн |
10+ | 239.23 грн |
20+ | 226.71 грн |
50+ | 201.01 грн |
100+ | 195.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE4903 NTE Electronics, Inc
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW, Mounting: THT, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Case: Ø9,52x5,21mm, Max. off-state voltage: 5.5V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 143A, Breakdown voltage: 6.8V, Leakage current: 1mA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE4903
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE4903 | Виробник : NTE Electronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW Mounting: THT Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: Ø9,52x5,21mm Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 143A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 1mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTE4903 | Виробник : NTE Electronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; Ø9,52x5,21mm; 1.5kW Mounting: THT Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Case: Ø9,52x5,21mm Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 143A Breakdown voltage: 6.8V Leakage current: 1mA |
товар відсутній |