Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE623
NTE623

NTE623 NTE Electronics, Inc

nte623.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: R-SI DUAL 200V 6A 150NS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.06 грн
10+101.71 грн
20+96.48 грн
50+85.63 грн
100+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE623 NTE Electronics, Inc

Description: R-SI DUAL 200V 6A 150NS, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bag.