Продукція > ONSEMI > NTMFS4D0N08X
NTMFS4D0N08X

NTMFS4D0N08X ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4D0N08X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 119 A, 0.0035 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.60 грн
10+82.22 грн
100+59.67 грн
500+48.60 грн
1000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4D0N08X ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS4D0N08X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 119 A, 0.0035 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).