Продукція > ONSEMI > NTMJS0D9N04CLTWG

NTMJS0D9N04CLTWG ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTMJS0D9N04CLTWG ONSEMI

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 330A, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 83W, Case: LFPAK8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 820µΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 143nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.