Продукція > ONSEMI > NVB5405NT4G
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G onsemi


ONSM-S-A0000792934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 214
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB5405NT4G onsemi

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V.

Інші пропозиції NVB5405NT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB5405NT4G Виробник : ON Semiconductor ntb5405n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній