| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.86 грн |
| 10+ | 91.54 грн |
| 100+ | 66.69 грн |
| 500+ | 64.24 грн |
| 1000+ | 61.24 грн |
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Технічний опис NVMFS5830NLWFT1G-UM onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVMFS5830NLWFT1G-UM за ціною від 68.36 грн до 229.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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NVMFS5830NLWFT1G-UM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NVMFS5830NLWFT1G-UM |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVMFS5830NLWFT1G-UM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 185 A, 0.0023 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.73 грн |
| 10+ | 148.27 грн |
| 100+ | 109.98 грн |
| 500+ | 85.48 грн |
| 1000+ | 68.36 грн |