на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.99 грн |
| 10+ | 70.88 грн |
| 100+ | 43.05 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1000+ | 31.31 грн |
| 3000+ | 27.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS9D3N06CLTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; LFPAK56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 290A, Power dissipation: 23W, Case: LFPAK56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції NVMYS9D3N06CLTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMYS9D3N06CLTWG | Виробник : ON Semiconductor |
 N-Channel Single Enhancement Mode Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| NVMYS9D3N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 23W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 290A Power dissipation: 23W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |