P1000A-CT Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 10A P600
Packaging: Strip
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 123.76 грн |
| 20+ | 102.73 грн |
| 40+ | 88.56 грн |
| 80+ | 71.64 грн |
| 160+ | 61.76 грн |
| 320+ | 50.53 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P1000A-CT Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 10A P600, Packaging: Strip, Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.