P18LA12SL-5070 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA
Mounting: SMD
Case: LA
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 18A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P18LA12SL-5070 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA, Mounting: SMD, Case: LA, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 18A, On-state resistance: 44mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 99W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 47nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 54A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P18LA12SL-5070
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P18LA12SL-5070 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 18A; Idm: 54A; 99W; LA Mounting: SMD Case: LA Drain-source voltage: 120V Drain current: 18A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 47nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A |
товару немає в наявності |