Продукція > SHINDENGEN > P22F10SN-5600
P22F10SN-5600

P22F10SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.34 грн
9+44.86 грн
25+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P22F10SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 35W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції P22F10SN-5600 за ціною від 35.92 грн до 68.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P22F10SN-5600 P22F10SN-5600 Виробник : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.81 грн
6+55.90 грн
25+45.21 грн
100+40.66 грн
500+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P22F10SN-5600 Виробник : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.