P22F10SN-5600 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.61 грн |
| 9+ | 46.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P22F10SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 35W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції P22F10SN-5600
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P22F10SN-5600 |
|
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.