P26B10SN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P26B10SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 26A, On-state resistance: 28mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 44W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 35nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 78A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P26B10SN-5071
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P26B10SN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 26A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |