P30LA10SL-5070 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Case: LA
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P30LA10SL-5070 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W, Case: LA, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 30A, On-state resistance: 21mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 142W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 61nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 90A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P30LA10SL-5070
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
P30LA10SL-5070 | Виробник : SHINDENGEN |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Case: LA Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 142W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |