Продукція > SHINDENGEN > P40B10SL-5071
P40B10SL-5071

P40B10SL-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1519 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.78 грн
10+41.13 грн
25+36.26 грн
27+35.87 грн
72+34.27 грн
100+32.68 грн
500+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P40B10SL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate charge: 66nC, On-state resistance: 18.5mΩ, Power dissipation: 62.5W, Drain current: 40A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Drain-source voltage: 100V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції P40B10SL-5071 за ціною від 39.12 грн до 51.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P40B10SL-5071 P40B10SL-5071 Виробник : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.25 грн
25+43.52 грн
27+43.04 грн
72+41.13 грн
100+39.21 грн
500+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.