Продукція > SHINDENGEN > P40B10SN-5071
P40B10SN-5071

P40B10SN-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.55 грн
11+37.86 грн
25+33.49 грн
28+32.95 грн
76+31.42 грн
100+30.12 грн
500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P40B10SN-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 16.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 56nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції P40B10SN-5071 за ціною від 36.05 грн до 76.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P40B10SN-5071 P40B10SN-5071 Виробник : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 16.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.26 грн
7+47.18 грн
25+40.19 грн
28+39.54 грн
76+37.70 грн
100+36.14 грн
500+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.