Продукція > SHINDENGEN > P4F90VX3-5600
P4F90VX3-5600

P4F90VX3-5600 SHINDENGEN

_Shindengen Catalogue 2020.pdf P4F90VX3.pdf
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 21nC
Application: automotive industry
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P4F90VX3-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 4A, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.4Ω, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 79W, Gate charge: 21nC, Application: automotive industry.