P60B6SN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 60A; Idm: 180A; 62.5W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: FB (TO252AA)
Pulsed drain current: 180A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P60B6SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 60A; Idm: 180A; 62.5W, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, On-state resistance: 6.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 55nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: FB (TO252AA), Pulsed drain current: 180A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P60B6SN-5071
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P60B6SN-5071 | Виробник : Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
||
| P60B6SN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 60A; Idm: 180A; 62.5W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 6.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 55nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: FB (TO252AA) Pulsed drain current: 180A |
товару немає в наявності |