Продукція > SHINDENGEN > P8B10SBK-5071

P8B10SBK-5071 SHINDENGEN


Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис P8B10SBK-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 8A, On-state resistance: 94mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 23W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 24A, Gate charge: 16.5nC, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції P8B10SBK-5071

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
P8B10SBK-5071 Виробник : SHINDENGEN Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 16.5nC
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.