Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P90FG5R5SL-5071 Shindengen
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 106nC, On-state resistance: 3.8mΩ, Drain current: 90A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 360A, Power dissipation: 128W, Drain-source voltage: 55V, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Case: FG (TO263AB), Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD.
Інші пропозиції P90FG5R5SL-5071
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| P90FG5R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 90A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 128W Drain-source voltage: 55V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| P90FG5R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.



