на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 28.51 грн |
| 16+ | 21.27 грн |
| 100+ | 11.08 грн |
| 1000+ | 6.97 грн |
| 3000+ | 6.61 грн |
| 9000+ | 5.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS5320T-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 300 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PBSS5320T-QR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PBSS5320T-QR | Виробник : NEXPERIA |
 Trans GP BJT PNP 20V 2A 1200mW 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
||
 |
PBSS5320T-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |