Продукція > NXP USA INC. > PDTA123TM315
PDTA123TM315

PDTA123TM315 NXP USA Inc.

PDTA123T_SER.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA123TM315 NXP USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS PNP, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: DFN1006-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Part Status: Active, Packaging: Bulk.