PDTC143ET.215 NXP
у наявності 44 шт:
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PDTC143ET.215 за ціною від 0.83 грн до 9.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 273000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2016000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Case: SOT23; TO236AB Frequency: 230MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 42394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Case: SOT23; TO236AB Frequency: 230MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PDTC143ET,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PDTC143ET,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор цифровий smd; Структура = NPN; Uceo, В = 50; Ic, А = 0,1; hFE = 30 @ 10 мА, 5 В; Icutoff-max = 1 мкА; Ptot, Вт = 0,25; R1, кОм = 4,7; R2, кОм = 4,7; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 500 мкA, 10 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| PDTC143ET,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
SOT-23 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
PDTC143ET,215 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| LL4148 Код товару: 2413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOD-80
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,2 A
SMD
у наявності: 66071 шт
54841 шт - склад
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1934 шт - РАДІОМАГ-Київ
2461 шт - РАДІОМАГ-Львів
730 шт - РАДІОМАГ-Харків
1957 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4148 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 40+ | 0.50 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| 1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo) Код товару: 85265
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 135 шт
85 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.15 грн |
| 1000+ | 0.12 грн |
| 10000+ | 0.09 грн |
| 100pF 50V NP0 5% 0805 (CL21C101JBANNNC-Samsung) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 114831
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 1340 шт
1000 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
180 шт - РАДІОМАГ-Львів
144 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
180 шт - РАДІОМАГ-Львів
144 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| BZV55-C6V2 Код товару: 4319
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,2 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 6,2 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
у наявності: 2357 шт
2210 шт - склад
53 шт - РАДІОМАГ-Київ
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
53 шт - РАДІОМАГ-Київ
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 47uH 10% 1210 (LQH32CN470K23L-Murata) індуктивність Код товару: 48961
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Murata
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 1210
Номінал: 47 µH
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1210
Опис і характеристики: дротова на фериті
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 1210
Номінал: 47 µH
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1210
Опис і характеристики: дротова на фериті
у наявності: 1464 шт
1205 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
61 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
61 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11.00 грн |
| 10+ | 9.90 грн |
| 100+ | 8.80 грн |









