PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 24.70 грн |
| 21+ | 18.27 грн |
| 100+ | 7.12 грн |
| 250+ | 6.66 грн |
| 313+ | 2.93 грн |
| 859+ | 2.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3412_R1_00501 PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.1A, Pulsed drain current: 16.4A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJA3412_R1_00501 за ціною від 3.33 грн до 29.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3412_R1_00501 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 16.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|