PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Power dissipation: 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 108mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Power dissipation: 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 108mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 26.35 грн |
| 24+ | 16.36 грн |
| 100+ | 12.38 грн |
| 182+ | 5.12 грн |
| 500+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W, Power dissipation: 1.25W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, On-state resistance: 108mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -12.4A, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -3.1A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJA3441_R1_00501 за ціною від 5.78 грн до 31.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3441_R1_00501 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Power dissipation: 1.25W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 108mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12.4A Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|