PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 26.13 грн |
| 26+ | 16.01 грн |
| 100+ | 12.21 грн |
| 250+ | 8.57 грн |
| 500+ | 8.01 грн |
| 1000+ | 7.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -3.1A, Pulsed drain current: -12.4A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 108mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJA3441_R1_00501 за ціною від 8.05 грн до 31.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3441_R1_00501 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|