PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor

Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23, Type of diode: TVS array, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, Semiconductor structure: common anode; double, Application: automotive industry, Max. off-state voltage: 8.5V, Breakdown voltage: 11.4...12.6V, Leakage current: 0.2µA, Version: ESD, Peak pulse power dissipation: 40W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJMBZ12A-AU_R1_007A1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 | Виробник : Panjit |
![]() |
товару немає в наявності |
|
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Semiconductor structure: common anode; double Application: automotive industry Max. off-state voltage: 8.5V Breakdown voltage: 11.4...12.6V Leakage current: 0.2µA Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W |
товару немає в наявності |