PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 6V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Leakage current: 0.3µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 24W
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23, Case: SOT23, Max. off-state voltage: 6V, Semiconductor structure: common anode; double, Breakdown voltage: 8.65...9.56V, Leakage current: 0.3µA, Application: automotive industry, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Version: ESD, Peak pulse power dissipation: 24W, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 | Виробник : Panjit |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH |
товару немає в наявності |
|
| PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23 Case: SOT23 Max. off-state voltage: 6V Semiconductor structure: common anode; double Breakdown voltage: 8.65...9.56V Leakage current: 0.3µA Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 24W Mounting: SMD |
товару немає в наявності |