Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJMH040N60EC_T0_00201

PJMH040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor


Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMH040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 71A, Pulsed drain current: 212A, Power dissipation: 200W, Case: TO247AD-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 144nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PJMH040N60EC_T0_00201

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMH040N60EC_T0_00201 Виробник : PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.