Продукція > PANJIT > PJMP210N65EC-T0

PJMP210N65EC-T0 Panjit


Виробник: Panjit
MOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMP210N65EC-T0 Panjit

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 150W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Pulsed drain current: 42A.

Інші пропозиції PJMP210N65EC-T0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601 PanJit PJMP210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC.pdf
PJMP210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.