Продукція > PANJIT > PJMP210N65EC-T0

PJMP210N65EC-T0 Panjit

Виробник: Panjit
MOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис PJMP210N65EC-T0 Panjit

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 150W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 42A, Gate charge: 34nC.

Інші пропозиції PJMP210N65EC-T0

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	PJMP210N65EC_T0_00601	PanJit Semiconductor	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 42A Gate charge: 34nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

PJMP210N65EC_T0_00601

Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.