Продукція > PANJIT > PJMP360N60EC-T0

PJMP360N60EC-T0 Panjit

Виробник: Panjit
MOSFETs TO220 600V 11A N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис PJMP360N60EC-T0 Panjit

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 23A, Power dissipation: 87.5W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18.7nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції PJMP360N60EC-T0

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	PJMP360N60EC_T0_00001	PanJit Semiconductor	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 87.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 18.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

PJMP360N60EC_T0_00001

Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.