Продукція > PANJIT > PJMP360N60EC-T0

PJMP360N60EC-T0 Panjit


Виробник: Panjit
MOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMP360N60EC-T0 Panjit

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 87.5W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.36Ω, Pulsed drain current: 23A, Gate charge: 18.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.

Інші пропозиції PJMP360N60EC-T0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.