PMG370XN,115

PMG370XN,115 NXP USA Inc.


Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3328+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMG370XN,115 NXP USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 690mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PMG370XN,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMG370XN,115 PMG370XN,115 Виробник : NEXPERIA 14041655602278pmg370xn.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.96A 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMG370XN,115 PMG370XN,115 Виробник : NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.