PSI 25/12

PSI 25/12 POWERSEM


PSxx25-12-DTE.pdf Виробник: POWERSEM
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 21A
Electrical mounting: THT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: ECO-PAC 2
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Application: motors
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1902.75 грн
3+1579.67 грн
10+1377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSI 25/12 POWERSEM

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 21A, Electrical mounting: THT, Type of semiconductor module: IGBT, Case: ECO-PAC 2, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT half-bridge, Application: motors, Collector current: 21A, Pulsed collector current: 35A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PSI 25/12 за ціною від 1653.04 грн до 2283.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSI 25/12 PSI 25/12 Виробник : POWERSEM PSxx25-12-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 21A
Electrical mounting: THT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: ECO-PAC 2
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Application: motors
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2283.30 грн
3+1968.52 грн
10+1653.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.