PSMN014-60LS,115

PSMN014-60LS,115 NXP Semiconductors


3535psmn014-60ls.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN014-60LS,115 NXP Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PSMN014-60LS,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN014-60LS,115 PSMN014-60LS,115 Виробник : NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.