Продукція > NEXPERIA > PSMN2R3-80SSF
PSMN2R3-80SSF

PSMN2R3-80SSF NEXPERIA

4384422.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+393.78 грн
10+259.98 грн
100+203.24 грн
500+168.28 грн
1000+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R3-80SSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).