Продукція > NEXPERIA > PSMN2R3-80SSF
PSMN2R3-80SSF

PSMN2R3-80SSF NEXPERIA

4384422.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+465.52 грн
10+326.99 грн
100+261.75 грн
500+193.70 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R3-80SSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R3-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 2300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 341W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.