Продукція > NEXPERIA > PSMN2R6-80YSF
PSMN2R6-80YSF

PSMN2R6-80YSF NEXPERIA

4247900.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.57 грн
10+151.58 грн
100+108.40 грн
500+84.14 грн
1000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-80YSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 231A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).