Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMQC042N10LS2-R2 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 109A, Power dissipation: 115W, Case: DFN5060-8, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 58nC.
Інші пропозиції PSMQC042N10LS2-R2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 | PanJit |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 109A Power dissipation: 115W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMQC042N10LS2_R2_00201 |
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 109A
Power dissipation: 115W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 109A; 115W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 109A
Power dissipation: 115W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику
од. на суму грн.

