на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5140+ | 1.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD12,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD12 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMD12,115 за ціною від 1.70 грн до 26.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 72992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 58480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD12,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD12,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD12 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88 |
на замовлення 14596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD12,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD12 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PUMD12,115 | Виробник : NXP |
NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD12,115 NXP TPUMD12 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
PUMD12.115 Код товару: 162856
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-363 Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A Примітка: NPN/PNP Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PUMD12,115 | Виробник : Nexperia Germany GmbH |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товару немає в наявності |