QSL12TR

QSL12TR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QSL12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+39.01 грн
100+25.39 грн
500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QSL12TR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN + Diode (Isolated), Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TSMT5, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції QSL12TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QSL12-TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QSL12TR QSL12TR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=QSL12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSL12TR QSL12TR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=QSL12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSL12TR Виробник : Bourns datasheet?p=QSL12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.