Продукція > BEKING OPTOELECTRONICS > QX817N-FeH-DE
QX817N-FeH-DE

QX817N-FeH-DE Beking Optoelectronics

QX817X.pdf
Виробник: Beking Optoelectronics
Description: Optoisolator Transistor 817
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 45 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+3.48 грн
4000+2.40 грн
10000+1.65 грн
20000+1.31 грн
40000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QX817N-FeH-DE Beking Optoelectronics

Description: Optoisolator Transistor 817, Vce Saturation (Max): 200mV, Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current - Output / Channel: 50mA, Input Type: DC, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Mounting Type: Through Hole, Output Type: Transistor, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube, Current - DC Forward (If) (Max): 45 mA, Number of Channels: 1, Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs, Voltage - Output (Max): 80V, Supplier Device Package: 4-DIP, Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA.