Продукція > BEKING OPTOELECTRONICS > QX817N-FeH-ME
QX817N-FeH-ME

QX817N-FeH-ME Beking Optoelectronics

QX817X.pdf
Виробник: Beking Optoelectronics
Description: Optoisolator Transistor 817
Supplier Device Package: 4-DIP-M
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+3.78 грн
4000+2.48 грн
10000+1.63 грн
20000+1.30 грн
40000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QX817N-FeH-ME Beking Optoelectronics

Description: Optoisolator Transistor 817, Supplier Device Package: 4-DIP-M, Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 200mV, Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Input Type: DC, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube, Number of Channels: 1, Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs.