Продукція > BEKING OPTOELECTRONICS > QX817N-FeH-ME
QX817N-FeH-ME

QX817N-FeH-ME Beking Optoelectronics

QX817X.pdf
Виробник: Beking Optoelectronics
Description: Optoisolator Transistor 817
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP-M
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs
Number of Channels: 1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+3.81 грн
4000+2.50 грн
10000+1.65 грн
20000+1.31 грн
40000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QX817N-FeH-ME Beking Optoelectronics

Description: Optoisolator Transistor 817, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Input Type: DC, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 200mV, Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA, Supplier Device Package: 4-DIP-M, Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3µs, Number of Channels: 1.