Продукція > RENESAS ELECTRONICS > R1RW0416DSB-2LR#D1

R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics

REN_r10ds0282ej0100_memory_a_DST_20191118-2930552.pdf
Виробник: Renesas Electronics
SRAM ASYNC. 4M FAST SRAM 256KX16 PB-FREE
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.26 грн
10+413.44 грн
100+326.07 грн
270+324.67 грн
540+314.22 грн
1080+307.95 грн
2565+303.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 12 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray.

Інші пропозиції R1RW0416DSB-2LR#D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R1RW0416DSB-2LR#D1 R1RW0416DSB-2LR#D1 Виробник : Renesas Electronics Corporation r1rw0416d-series-datasheet?r=498481 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.