Технічний опис RDD020N60 TL ROHM
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Інші пропозиції RDD020N60 TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RDD020N60TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
RDD020N60TL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| RDD020N60TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RDD020N60TL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.




