Продукція > HARRIS CORPORATION > RF1S4N100SM9A

RF1S4N100SM9A Harris Corporation

HRISC016-2.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+257.31 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF1S4N100SM9A Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Supplier Device Package: TO-263AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.