Продукція > HARRIS CORPORATION > RFB18N10CS

RFB18N10CS Harris Corporation

HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-5
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFB18N10CS Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-5, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V, FET Feature: Current Sensing, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-5, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V.

Інші пропозиції RFB18N10CS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFB18N10CS HRISD017-7-3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.