Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > RFD14N05LSM
RFD14N05LSM

RFD14N05LSM

rfd14n05lsm-d.pdf 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf
Код товару: 119555
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RFD14N05LSM за ціною від 18.21 грн до 106.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RFD14N05LSM RFD14N05LSM UMW 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.86 грн
500+20.14 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM RFD14N05LSM ONSEMI RFD14N05L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.33 грн
11+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM RFD14N05LSM onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 19494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
75+43.29 грн
150+38.70 грн
525+30.21 грн
1050+27.56 грн
2025+25.43 грн
5025+22.64 грн
10050+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM RFD14N05LSM ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
12+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM RFD14N05LSM onsemi rfd14n05lsm-d.pdf 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf MOSFETs TO-252AA N-Ch Power
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+46.13 грн
75+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM ON-Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf
RFD14N05LSM
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.86 грн
500+20.14 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM RFD14N05L.pdf
RFD14N05LSM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+82.33 грн
11+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05LSM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 19494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.74 грн
75+43.29 грн
150+38.70 грн
525+30.21 грн
1050+27.56 грн
2025+25.43 грн
5025+22.64 грн
10050+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD14N05LSM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+103.90 грн
12+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM rfd14n05lsm-d.pdf 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf
RFD14N05LSM
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-252AA N-Ch Power
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.31 грн
10+46.13 грн
75+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM rfd14n05lsm-d.pdf 30a56ed278e65d0f81fd6df725dbcc14.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
75+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.