RFG60P05+E
Виробник:
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFG60P05+E
Description: MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 215W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RFG60P05+E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RFG60P05E | Виробник : FAIRCHILD |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
RFG60P05E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |