Продукція > HARRIS CORPORATION > RFP2N20

RFP2N20 Harris Corporation

HRISD017-4-609.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
503+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP2N20 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції RFP2N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFP2N20 HRISD017-4-609.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.